在支抗钉松动或失败的病例，头帽是一种替代选择。低位牵引常用于治疗II类生长发育期患者的矫治，也可以用于远中移动上颌磨牙。在非拔牙病例，接触上颌拥挤的间隙可以通过磨牙远中移动获得，而下颌拥挤通过排齐过程中的切牙唇向扩展获得。下切牙邻面去釉能改善排齐整平，但能提供的间隙不超过0.25-0.5mm的釉质厚度。下切牙的唇倾是II类非拔牙患者矫治的一项挑战。

研究目的

调查在非生长期患者，用头帽远中移动上颌磨牙后下牙列的即刻变化。

研究方法

纳入II类磨牙关系和牙列拥挤的16名患者（平均年龄，18.9±2.0岁），排除生长发育期患者，有缺牙或修复体的患者和拔牙矫治患者。这些患者拒绝应用支抗钉，同意用头帽远中移动上颌磨牙6-9个月以纠正磨牙关系。

患者用两步治理方案进行治疗，即先进行上颌磨牙远中移动，再用0.018-inch托槽进行固定矫治。固定矫治排齐整平在获得足够磨牙远中移动后开始。患者每天戴用低位牵引头帽12-14小时，主要在夜间。头帽的口内弓宽度调整到比上颌第一磨牙颊面管间距离大2mm，并与合平面平行。每侧施加的力量在14-16oz。磨牙远中移动进行到获得I类磨牙关系。

获得治疗前（T0）和上颌磨牙远中移动后即刻（T1）的CBCT。用CBCT生成的半头侧片（CG Cephs）和牙科模型评估牙弓的变化。在CG Cephs上绘制平行于头位校准器的X轴和垂直于X轴并通过A点的Y轴。为评估磨牙远移后的变化，获取以下头侧数据：Y轴到上颌第一磨牙近中牙尖间的距离，X轴与上颌第一磨牙长轴的角度，IMPA值。下牙列的变化的测量指标包括：尖牙间宽度（ICW），前磨牙间距离（IPW），磨牙间距离（IMW）。上颌的IMW也被测量。

研究结果

戴用头帽的平均时间为6.3个月。CG Cephs显示，上颌第一磨牙远中移动4.2 ± 1.6 mm，远中倾斜9.7°± 6.1°，上颌IMW显著增大1.3mm。下颌尖牙间、前磨牙间和磨牙间宽度在上颌磨牙后移后有增加，IMPA显著下降。

讨论

    下牙弓的变化可能可以用平衡理论解释。上磨牙的远中移动和伸长引起口腔环境的改变，舌的位置改变，来自舌的力量可能引起下牙弓的变化。另外，由于上牙弓扩宽，下牙列可能会通过牙尖吻合随着上颌后牙位置发生改变。下牙弓的扩宽一定程度上可解除下前牙拥挤。根据研究结果，头帽的运用和两步非拔牙矫治方法可能成为不想应用骨支抗的年轻成人患者的一种选择方案。

来源： Skywalker XY 浙一口腔正畸林军